基于给体（D）和受体（A）单元的小分子设计是制备高性能半导体器件的有效方法。A-D-A小分子兼具了小分子和聚合物的优点,又很好的规避了聚合物分子量不可控,批次间差异大的缺点,此类型小分子具有相对较高的分子量和较大的尺寸,使其具有良好的溶液加工性和优异的成膜性能。本文设计并合成了一系列以二茚并二噻吩并[3,2-b]噻吩（IDTT）作为给体单元,分别以苯并吡咯二酮（IDD）和吡啶并吡咯二酮（IDD-N）作为受体单元合成了一系列A-D-A小分子材料,系统的研究了分子结构与场效应晶体管性能之间的关系。（1）设计并合成了以刚性的IDTT作为给体（D）单元,选择具有吸电子能力的IDD分子和引入N原子具有强吸电子能力IDD-N分子作为封端的受体单元的小分子IDTT-IDD和IDTT-IDD-N。研究发现在IDD单元中引入一个N原子,通过非共价相互作用增强了分子的平面性和结构的有序性,对小分子产生了显著的影响。未取代的小分子（IDTT-IDD）没有表现出任何场效应性能,而基于IDTT-IDD-N的可溶液加工的OFET获得了高达7.7 cm ² V^–1 s^–1的空穴迁移率,平均迁移率为6.1 cm ² V^–1 s^–1。（2）由于IDTT-IDD-N观察到的出色的场效应性能,通过改变受体IDD-N烷基侧链的长短来进一步研究烷基侧链对场效应晶体管性能的影响。合成了IDTT-IDD-N-C1～C8八个A-D-A小分子材料,其中受体直链烷基侧链碳原子数为1-8,结果表明除甲基侧链的材料外,其余小分子具有类似光学和电化学特性,并且都表现出了出色的场效应性能。还发现了迁移率与烷基侧链碳原子个数之间存在着近似奇偶效应的规律。