【摘 要】
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本文在综述硅基SiO薄膜研究进展、表征方法、研究方法的基础上，着重研究射频溅射法制备硅基SiO薄膜的工艺，发展该类薄膜制备的新技术，同时对薄膜进行特性分析与研究，得出有关结论
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本文在综述硅基SiO<,2>薄膜研究进展、表征方法、研究方法的基础上，着重研究射频溅射法制备硅基SiO<,2>薄膜的工艺，发展该类薄膜制备的新技术，同时对薄膜进行特性分析与研究，得出有关结论并提出一些改进方法。
采用射频溅射法在Si基上淀积SiO<,2>薄膜，然后在空气气氛中在不同的实验条件下高温处理后，制得了膜厚为618A均匀致密的无定形SiO<,2>薄膜。最后利用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和台阶仪等仪器对SiO<,2>膜的形貌、结构、成份及化学配比进行了测试分析。
通过本论文的研究，用射频溅射法在硅片上制备优质SiO<,2>薄膜，仍需在工艺控制包括淀积条件、退火方式的选择等方面作进一步的研究与改进。
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