【摘 要】
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半导体纳米线激光器在片上光通信和光互连中有重要应用前景。受光学衍射极限的限制,纳米线激光器尺寸的进一步降低已经遇到瓶颈。光子晶体微腔能够阻止模式泄露,使光场限制在腔内。将纳米线与光子晶体微腔结合起来,是进一步缩小纳米线激光器尺寸、降低激射阈值的一种可行途径。本文基于光子晶体微腔的Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器展开研究,取得的主要研究成果如下:(1)采用时域有限差分法,理论研究了单根In0.53Ga0.47A
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