纳米WO3气敏材料及NO2气敏元件的研究

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NO2气体为有毒有害气体,对人体呼吸系统损害大,同时是形成酸雨的主要物质。因而NO2气体的监控和检测,对环境保护和健康保障十分重要,研究开发NO2气敏传感器具有学术研究价值和实用应用意义。WO3作为一种近10多年发展起来的半导体功能材料,在气敏传感器和光致变色等领域得到越来越广泛的应用,其对NO2气体表现出良好的气敏性。本研究采用三种不同方法制备纳米WO3气敏材料,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等分析技术,研究了材料的微观结构、表面形貌以及材料组分等。使用所制备的纳米WO3材料研制NO2气敏元件,并检测其气敏性能,同时提出并设计二种新型电动势式半导体气敏传感器。采用钨酸铵热分解法并用溶胶—凝胶法掺杂二氧化硅的新工艺,在国内首次获得粒径小于10nm的WO3材料,经XRD分析其粒径为8.5nm,TEM观察结果表明,分散均匀粒径大小仅为3nm-4nm,在WO3材料制备工艺上取得突破。该纳米WO3材料制备的NO2气敏元件,对1×10-6NO2气体的灵敏度达191,为目前国内固相法所制备气敏元件中,灵敏度最高的。以钨酸钠和盐酸为原料,采用溶胶-凝胶法制备纳米WO3材料。材料平均粒径为17nm,呈片状结构,对100×10-9NO2气体的灵敏度达60,可实现对ppb数量级低浓度NO2气体的检测。提出了采用钨丝通电自燃法制备纳米WO3气敏材料的新方法,并设计和试验了实验装置,获得具有独特形貌的纳米WO3,进而制作了气敏元件。该方法设备简单,改进后可通过控制反应气氛、调节通电电压等,控制材料的生长过程,以获得特殊要求的纳米WO3材料。以温差效应为基础,引入半导体载流子理论,推导出半导体材料的温差电动势,提出温差电动势气敏机理。根据上述理论,设计温差电动势气敏元件,并成功实现元件的气敏功能。该气敏元件的温差电动势工作机理,有利于提高元件的的稳定性,为一种新型电动势式气敏元件。以霍尔效应为基础,引入半导体载流子理论,推导出半导体材料的霍尔电动势,提出霍尔电动势气敏机理。根据上述理论,设计霍尔电动势气敏元件,并成功实现元件的气敏功能,为一种新型电动势式气敏元件。应用物理化学的吸附理论、半导体能带理论及吸收效应理论,解释元件的灵敏度与工作温度的关系,掺杂二氧化硅对WO3材料制备的影响等。根据半导体缺陷理论,提出吸附氧及NO2的吸附电子来源于WO3材料缺陷这一机理假说,并以此机理解释元件的响应恢复过程。
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