Ce:Cs2LiLaCl6（CLLC）闪烁晶体是一类新型中子探测材料,属于钾冰晶石家族。本文主要研究了Ce:Cs2LiLaCl6和Ce:Cs2LiLaxY（1-x）Cl6（0.5≤x≤0.7）晶体的生长与性能,采用坩埚下降法生长了该系列晶体,对生长方法进行了改进和优化,并对晶体的发光机理和闪烁性能进行了分析:1.CLLC晶体的生长方法的优化与性能表征。使用了坩埚下降法生长了CLLC晶体,得到了透明且结晶质量良好的CLLC晶体。针对CLLC晶体在结晶过程中存在Cs3LaCl6杂相析出的问题,在配料的时候通过加入过量Li Cl,以达到减少杂相析出的目的。当Li Cl过量10%时生长的晶体质量最好,其中尺寸为?11×3 mm3的CLLC晶体在400 nm处的透过率达到61%。CLLC晶体存在着芯价发光（CVL）,Ce3+的5d→4f能级跃迁发光和自陷激子发光（STE）三种闪烁发光机制。掺杂0.5%Ce3+的CLLC晶体在紫外可见光激发下存在220 nm、264 nm、319nm、336 nm和355 nm五个激发峰,对应于Ce3+的电子从2F5/2到2个双重态eg和3个三重态t2g的能级跃迁;发射峰位于373 nm和404 nm,是由于Ce3+的5d1(t2g)→4f(2F5/2、2F7/2)能级跃迁产生的,其光致发光衰减时间为36.6 ns。X射线激发发射光谱中,位于302 nm的发射峰是由于CVL产生的。CLLC晶体在137Cs伽马射线激发下光输出为28000 ph/Me V,能量分辨率为7.2%,闪烁衰减时间分别是179 ns和1491 ns;在慢化后的252Cf中子源激发下的能量分辨率为3.1%。2.不同浓度Ce3+的CLLC晶体的生长与性能研究。使用了坩埚下降法生长了不同浓度Ce3+的CLLC晶体。对不同浓度的CLLC晶体进行发光光谱分析:其中掺杂0.5%Ce3+的发射峰位于372 nm,激发峰位于348 nm,衰减时间为36.6 ns;掺杂5%Ce3+的发射峰位于389 nm,激发峰是位于312-370 nm的峰包,衰减时间为39.1 ns;0.5%Ce3+和0.2%Pr3+共掺的CLLC晶体的发射峰位于382 nm,激发峰位于354 nm,衰减时间为30.8 ns。3.Ce:Cs2LiLaxY（1-x）Cl6（0.5≤x≤0.7）混晶的生长与性能研究。使用了坩埚下降法生长了Ce:Cs2LiLaxY（1-x）Cl6（0.5≤x≤0.7）系列混晶,对Ce:Cs2LiLaxY（1-x）Cl6（0.5≤x≤0.7）混晶进行发光光谱分析:其中Ce:Cs2LiLa0.5Y0.5Cl6混晶的发射峰位于404 nm,激发峰存在位于319-360 nm的峰包,衰减时间为36.4 ns;Ce:Cs2LiLa0.6Y0.4Cl6混晶的发射峰位于417 nm,激发峰是存在位于319-360 nm的峰包,衰减时间为36.3 ns;Ce:Cs2Li La0.7Y0.3Cl6混晶的发射峰位于404 nm,激发峰位于344 nm,衰减时间为38.7 ns。