ZnO压敏电阻器属于半导体电阻器，在击穿区其电导率随着外加电压的升高而急剧增大。它具有造价低廉、残压低、电压系数小、漏电流小、非线性指数大、响应时间快等优点。因此，ZnO压敏陶瓷被广泛的应用于电力系统、电子线路、家用电器等设备中，尤其在高性能浪涌吸收、过压保护和无间隙避雷器方面的应用最为突出。 本文对ZnO压敏电阻器的发展、基本特性以及导电机理进行了论述。运用传统工艺制备不同浓度Co2O3掺杂的ZnO压敏电阻片。主要对Co2O3掺杂ZnO压敏电阻片在小电流区域的电学性能进行测试，并讨论了Co2O3掺杂浓度与ZnO压敏电阻电学性能及介电特性之间的关系。采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的显微结构进行分析，研究了Co2O3掺杂浓度对ZnO压敏电阻显微结构的影响。 实验结果表明：随着Co2O3摩尔百分数的增加，压敏电压升高，非线性指数增大，漏电流减小，电压转折的位置下降到较低的电流密度。随着外加电压的增大，试样的电导率增大，电容升高，介电损耗也逐渐的变大。ZnO晶粒的电导率减小，根据电容、电压特性的分析，晶粒电导率的减小归因于填隙Zni或氧空缺V0浓度的减小而引起载流子浓度的减小。Co2O3的添加还将降低ZnO非线性电阻的介电损耗。此外，随着Co2O3含量的增大，晶粒尺寸越来越小，衍射角变大，晶面间距减小，衍射峰的相对强度减小，C轴择优取向变差。本文所研究的内容对于ZnO压敏电阻的进一步应用具有实际意义。