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来源 :上海大学 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
高压功率集成电路的设计与制造因其具有一定的高技术难度而极具挑战性.其中的关键之一是功率HVLDMOS的相容工艺设计.由于LDMOS的电极均位于芯片表面,易于通过内部连接实现与
【作 者】
:
高海
【机 构】
:
上海大学
【出 处】
:
上海大学
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
高压功率集成电路
LDMOS
结构设计
工艺设计
高温特性
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