宽带隙氧化镓纳米带的制备、光学特性及各向异性的研究

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低维半导体纳米材料,如纳米管、纳米线、纳米带等,以其特殊的物理和化学性质以及在纳米器件、光电子器件、微传感器等多方面潜在的应用前景,己成为纳米科技研究的热点。其中,半导体低维结构因其具有丰富有趣的物理内容和光电功能器件应用的前景而备受瞩目。目前国内外对低维纳米材料的研究如火如荼,主要集中在两个方面:如何运用简单有效的方法制备低维纳米材料;对低维纳米材料基本特性测试,如光学特性、输运特性等。本文利用多维分辨的光谱实验手段(空间,时间,自旋分辨)对准二维β-Ga2O3内米带进行了光学性质的研究,主要内容
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