高压大功率整流桥，广泛地用于各种测量仪器、家用电器、通讯器材和各类设备中，本文就针对提升这种整流桥芯片的合格率和可靠性问题，进行设计和工艺上的改进研究，使得芯片的合格率由90%提高到99%以上，封装后的合格率达到了99.2%以上，不仅常规例行可靠性试验全部合格，而且常温存放1个月后的失效率由500ppm以上降到了34ppm以下。整流桥芯片使用台面结构并用熔凝玻璃进行保护，在结构设计方面，主要是通过增加玻璃的厚度，将芯片边缘的厚度增加，以提高芯片的抗机械碰撞能力。同时引入激光划片技术，成倍的提升生产效率。本文从理论上对硅表面状态进行了分析总结，据此进行优化试验，得出了用磷酸溶液处理硅表面的优势及最佳工艺条件。通过对杂质及其清洗方法进行归类分析，通过试验总结了3步清洗法，操作简单有效，重复性好。本文从分析玻璃的成份开始，对玻璃的沉积方法进行了比较试验，确认了电泳法沉积玻璃的工艺方法为优选工艺。根据玻璃的特征对玻璃成型的温度、时间和保护气体进行了试验性的研究，给出了玻璃的最佳成型条件。通过对产品的各种失效模式和机理进行分析总结，确认了芯片的失效原因，并提出了改进的方案：一是前面提到的结构改进；二是工艺上在玻璃成型前的650℃保温2小时，同时通入添加微量氢元素的氧气，不仅改善了玻璃的特性，还在硅与玻璃之间增加了一层氧化膜，使芯片的结面由单一的玻璃保护结构变成了由二氧化硅和熔凝玻璃的双层保护结构，很好地增强了结面的保护能力。本试验中所有使用的设备、工装及材料都很容易从国内购买，价格便宜，工艺方法简单，适于大批量生产操作，还保证生产效率的提高。