本课题旨在把空心阴极的这一特点再次应用于碳化硅陶瓷的烧结，研究碳化硅陶瓷在空心阴极条件下的固相烧结及液相烧结的不同工艺参数，研究烧结时电流电压的变化对烧结工艺的影响，以及在固相及液相条件下，探讨添加剂成分以及含量等因素对烧结效果的影响。实验结果表明，在不添加烧结助剂，2200℃保温3小时的条件下获得相对密度为96.2％的SiC烧结体，烧结体的显微硬度值为22.5Gpa，同时烧结体的断口SEM照片显示断裂模式为穿晶断裂；在以10％C粉作为添加剂，2000℃保温3小时的条件下，所得烧结体的相对密度为96.5％，显微硬度值为23.5Gpa,烧结体的断口SEM照片显示晶粒之间空隙进一步缩小，样品也更为致密；在以9％YAG(Al<,2>O<,3>-Y<,2>O<,3>)作为烧结助剂，1900℃，保温1.5h的烧结条件下，获得相对密度为97.9％SiC烧结体，烧结体的显微硬度值为21Gpa，烧结体的断口SEM照片显示烧结试样的晶粒之间更加紧密，气孔和晶界相对较少，断裂模式为穿晶断裂。实验证明空心阴极烧结工艺不仅具有温度控制方便、加热温度高、升温速度快、省电节能等优点，而且具有真空烧结的特点，可以制备出致密度较高的SiC陶瓷烧结制品。