二维材料C4N3和C3N4电学及储氢性能的理论研究

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自石墨烯发现以来,二维材料因表现出独特性能一直受到了科研工作者的广泛关注。以维度作为材料的基本参数,一系列类石墨烯材料被研究并应用于相关利益行业。类石墨烯碳氮化合物(C3N4和C4N3)作为在光电子领域研究较多的半导体材料,最近在实验中被合成出来。半金属(half-metal)性质的C4N3由于其特殊的能带结构因此具有很多比较优越的性能,尤其适合作为自旋注入材料。通过对两种材料的压缩理论计算,了解材料电子结构的变化,可以为实验和应用提供一些理论认知。利用密度泛函理论,我们对类石墨烯半金属材料C4N3 (g-C4N3)进行双轴压缩,从而对其电子结构的多样性进行研究。计算结果表明,在应变小于-2%时,g-C4N3保留其原有的铁磁半金属性质,但半金属带隙随压缩增大而减小;当应变增强到-3%至-5%时,g-C4N3直接转化为非磁性的金属;若继续进行压缩,g-C4N3将变成非磁性半导体,且材料带隙会由间接带隙向直接带隙转变,直接带隙约为1.6eV。基于这一理论研究,我们认为g-C4N3在自旋电子学和光伏领域存在广泛的应用前景。在对g-C4N3进行调查研究时,我们发现它可由C取代类石墨烯材料C3N4(g-C3N4)上N原子获得,基态的g-C3N4属于半导体,且也已经可以通过实验制备出来。g-C3N4是一种高效的催化剂,常被用于工业中的光裂解水制氢,其2.7 eV的直接带隙对可见光吸收有一定响应。因此我们也对g-C3N4材料进行了一系列压缩应变的研究,希望可以找到与g-C4N3类似的性质。理论的计算结果表明g-C3N4在基态是非磁性,且通过对材料采用双轴压缩,材料始终保持非磁半导体性质,只是半导体带隙随压缩增加而减小。新型能源的开发和利用一直是科学研究的热门,其中又以氢能的存储研究最多。类比于石墨烯的储氢研究,我们发现g-C3N4在一定程度上比石墨烯储氢更具优势,如:对于金属的吸附能比较高,结构的孔径比较大,氢气的吸附能和吸附密度也有所提高等。因此对g-C3N4这种新型储氢材料,我们进行了一系列理论研究,并对储氢性能的优劣进行讨论。通过对g-C4N3的双轴压缩,我们得出了材料结构和电子性质随压缩的变化关系。对g-C3N4压缩和储氢性能的研究,我们预期了一种高效的储氢材料。结论如下:(1)基态的g-C4N3具有室温铁磁半金属性质,且能够在500 K温度下保持稳定结构和磁性,对g-C4N3在不同程度下双轴压缩,我们发现材料磁性由铁磁态向非磁态转变。(2)g-C4N3的能带结构随压缩而变化,由半金属到金属相,后再由间接带隙转变为直接带隙。(3)对g-C3N4双轴压缩,材料始终保持非磁性,但半导体带隙减小。(4)双面吸附金属Li原子的g-C3N4,储氢质量分数达9.2 wt%,超过美国能源部近期对于新型储氢材料的要求。
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