本文基于离子簇模型，采用Marcfarlne强场微扰法得到四角和斜方畸变的压缩八面体中3d1离子的g因子和超精细结构常数的三阶微扰公式，并将这些公式应用于(NH4)2SBCl5中的四角VO2+中心、锐钛矿填隙位置的四角V4+中心、金红石系列晶体中的斜方V4+中心等体系，满意地解释了EPR实验结果，并获得了掺杂离子的局部结构信息。 (1)对于(NH4)2SbCl5中四角VO2+中心，考虑了配体轨道及旋轨耦合作用的贡献。同时确定了前人实验未给出的超精细结构常数A因子的符号。 (2)对于锐钛矿中填隙V4+中心，克服了前人采用较多的调节参量，忽略配体轨道及旋轨耦合作用对自旋哈密顿参量贡献的不足，同时给出了超精细结构常数A的定量解释。 (3)对于金红石中填隙V4+中心，发现当V4+离子占据填隙位后，原来的压缩八面体环境会略微伸长即平行方向键长伸长0.2A(R∥～1.95A)，垂直方向键长缩收0.14。A(Rx=2.09A)，显然此时的局部环境仍是压缩八面体。 (4)对于金红石型MO2(M=Ti、Ge、Sn)晶体替位V4+中心，研究发现，由于Jahn-Teller效应，配体多面体由母体时的伸长八面体变成杂质中心的压缩八面体。另外，由于体系具有较强的共价性，配体轨道和旋轨耦合作用的贡献不能忽略。