白光LED 因其具有体积小、节能、环保、寿命长等优点而引起人们的广泛关注，被称为第四代照明光源。实现白光LED 最成熟方式是荧光粉转换法，因此白光LED 用荧光粉的制备和性能越来越受到人们的重视。　　 稀土硅酸盐体系发光材料由于其化学稳定性好，耐水性强，发光颜色多样，应用广泛等特点，越来越引起人们的重视。本论文采用成功合成了稀土离子激活的系列白光LED 用碱土金属多硅酸盐荧光粉，借助XRD、EDS、SEM、荧光光谱等现代测试手段，对合成产物进行了分析和表征，得出以下结论：　　 1. 采用凝胶-燃烧法成功合成了Eu2+掺杂的新型碱土多硅酸盐蓝色发光材料Sr2MgSi3O9:Eu2+，属四方晶系（Tetragonal）。其一次颗粒近似球形，粒径在100 nm 左右。　　 激发光谱分布在250~450 nm的波长范围，主激发峰位于424 nm 处，次激发峰位于400nm 处，可以被InGaN 管芯产生的近紫外辐射有效激发。发射光谱也为一宽带，最大发射峰位于470 nm 附近，是典型的Eu2+的4f5d-4f 跃迁导致的。Sr2MgSi3O9:Eu2+是一种很有前途用于白光LED的蓝色荧光粉。此外，探讨了Eu2+的掺杂浓度、还原温度及共掺杂离子等对材料发光亮度的影响。　　 2.采用凝胶-燃烧法合成Ce3+、Tb3+共掺的新型发光材料Sr2MgSi3O9:Ce3+,Tb3+。该发光材料与Sr2MgSi2O7 具有相似的晶体结构，同属四方晶系。样品一次颗粒近似球形，粒径在100 nm 左右。Sr2MgSi3O9:Tb3+的激发光谱为一位于249 nm的宽带，发射光谱主要由473 nm，491nm，547 nm，585 nm 等一系列发射峰组成，其中473 nm（5D3→7F3）为主发射峰，547 nm（5D4→7F5）为次发射峰；样品Sr1.955MgSi3O9:Tb3+0.04,Ce3+0.005的激发光谱由峰值分别249 nm和335 nm的双激发带组成，其中后者为主激发带。在335 nm激发下，其发射光谱由两部分组成，其中400 nm 附近的带状发射对应于Ce3+的发射，而491 nm，547 nm，588 nm 处的发射峰归属为Tb3+的5D4→7FJ（J = 6，5，4）跃迁发射，最强峰位于547 nm，对应Tb3+的5D4→7F5 跃迁。此外，探讨了Ce3+掺杂量对样品发光亮度的影响，发现Ce3+可以把能量传递给Tb3+，对Tb3+ 起到敏化作用。　　 3. 采用凝胶-燃烧法合成Eu3+掺杂的新型碱土多硅酸盐红色发光材xSrO·MgO·ySiO2（x = 1~2，y = 2~3）。Sr2MgSi3O9:Eu3+和SrMgSi2O6:Eu3+的晶体结构均与Sr2MgSi2O7相似，同属四方晶系。其激发和发射光谱分析表明：激发光谱在220~300 nm 之间出现一宽带吸收，归属于O2--Eu3+之间的电荷迁移带，300 nm 以后出现的锐线峰为Eu3+的f-f跃迁吸收峰，其最强锐线峰位于400 nm，对应于Eu3+的基态到5L6 激发态跃迁吸收。因此，荧光粉可以被InGaN 管芯产生的紫外辐射有效激发。发射光谱由两个强发射峰组成，分别位于592 nm和618 nm 处，分别属于典型的Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2 跃迁。此外，探讨了发光中心Eu3+浓度、共掺杂离子Ti4+和Gd3+以及电荷补偿剂Li+，Na+，K+对样品发光特性的影响。　　 4. 采用凝胶-燃烧法合成Eu2+掺杂的碱土氯硅酸盐蓝色荧光粉Sr4Si3O8Cl4:Eu2+。该发光材料与Sr4Si3O8Cl4具有相同的晶体结构，属正交晶系。激发光谱分布在250~400 nm的一个较宽的波长范围，可以被InGaN管芯产生的紫外及近紫外辐射有效激发。在324 nm的紫外光激发下，Sr4Si3O8Cl4:Eu2+产生一个主峰位于484 nm的宽带发射，是典型的Eu2+的4f5d-4f 跃迁导致的。通过在基质中掺杂Mg2+ 改变Eu2+的晶体场环境，使得Sr4-xMgxSi3O8Cl4:Eu2+发射光谱发生明显变化，当Mg2+浓度x 从0增加到2.0时，发射主峰的位置由484 nm移到436 nm，即：发射光谱发生蓝移，发光颜色从蓝绿变为蓝色；激发主峰从324 nm移到343 nm，即激发光谱发生红移，故stokes位移减小，样品的发光效率提高。同时发现，当Mg2+掺杂浓度大于0.5时，样品的发光强度随着Mg2+浓度的增加而增大，蓝光发射增强。