本文采用均相法利用硫脲改性γ-氯丙基三甲氧基硅烷合成新的偶联剂，改性后的偶联剂接枝到硅胶表面，合成硫脲基硅胶。对溶剂、硫脲的用量、水浴温度和反应时间等对该合成反应的影响进行了研究，选出均相法制备硫脲基硅胶的最佳条件：水浴温度338K，20mL甲醇，4g硫脲和10gγ-氯丙基三甲氧基硅烷反应24h，再加入70mL二甲苯，5g活化硅胶，继续反应24h。　　通过静态吸附实验发现pH、温度、时间和吸附溶液的初始浓度等对硫脲基硅胶材料吸附汞离子的过程有着重要的影响，结果表明，增大汞离子的浓度和升高吸附温度，可以使吸附容量变大，能够有效减少达到吸附平衡所需的时间。通过对吸附热力学曲线进行研究，发现硫脲基硅胶对汞离子的吸附行为可以使用 Langmuir吸附等温方程描述，说明该吸附是单分子层吸附；Freundlich吸附等温方程的参数 n处于5~6之间，表明硫脲基硅胶对汞离子的吸附行为是容易进行的。热力学数据ΔH0和ΔS0都是正的，且ΔG0都是负的，表明硫脲基硅胶对汞离子的吸附过程是自发进行的吸热的熵增过程；当温度介于298K~328K时，|ΔH0|＜|TΔS0|，表明硫脲基硅胶吸附汞离子的过程是由熵变控制的。通过对动力学数据进行拟合，发现准二级动力学模型适用于硫脲基硅胶吸附汞离子的过程。　　通过对硫脲基硅胶材料对单组份汞离子的动态吸附进行考察，发现体积流量、初始浓度及在吸附内加入材料的质量都会影响硫脲基硅胶材料对重金属离子的吸附效果。当增大流速、提高初始浓度和减少材料的装填质量时，穿透时间和耗竭时间都会变短。硫脲基硅胶材料对汞铜离子混合溶液中 Hg2+的吸附量与单组份汞溶液中 Hg2+的吸附量相比有所降低，但仍然具有一定的吸附容量；而混合溶液 Cu2+的吸附量比单组份铜溶液中 Cu2+的吸附量显著减少，这表明在汞铜竞争吸附过程中硫脲基硅胶材料对 Hg2+有良好的吸附选择性。在一定的操作前提下，Thomas模型和Yan模型适用于硫脲基硅胶对Hg2+的动态吸附行为，且这两个模型拟合得出的结果与实验数据有较高的拟合度。