研究矿物发光材料对矿物资源的功能化利用具有重要理论意义和实用价值。本文以Mn₃B₇O₁₃Cl（锰方硼石）、Ca₅（PO₄）₃Br（磷灰石结构）和Ca₁₂Al₁₄O₃₂X₂（X=Cl、F）（钙铝石结构）为材料基质,掺杂稀土离子和过渡金属离子,采用高温固相合成法制备新型矿物发光材料,并通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、荧光分光光度计（FL）、紫外可见分光光度计（UV-Vis）等方法对所制备发光材料的结构、形貌、光致发光性能等进行了表征和测试。锰方硼石的最佳合成温度为500?C,其发射带随激发波长增加出现红移现象。其中,短波发射带可由蓝光区域红移到红光区域。除此之外,将不同浓度的Mn²⁺掺杂到经选矿后的锰方硼石粉末（98%纯度）中,发现当Mn²⁺掺杂浓度为x=0.21时,锰方硼石的发光强度最大;研究了Mn²⁺在锰方硼石中的浓度淬灭效应,其机理为Mn²⁺相邻离子之间的相互作用。合成了新型矿物发光材料Ca₅（PO₄）₃Br:Eu²⁺、Ca₅（PO₄）₃Br:Eu³⁺和Ca₅（PO₄）₃Br:Ce³⁺,Tb³⁺。实现了近紫外光激发下Eu²⁺的蓝光发射和Eu³⁺的红光发射,分别研究了Eu²⁺和Eu³⁺浓度淬灭效应,其机理为电偶极-电偶极相互作用;敏化剂Ce³⁺对激活剂Tb³⁺存在能量传递过程,能量传递方式为电偶极-电偶极相互作用。合成了新型矿物发光材料Ca₁₂Al₁₄O₃₂X₂:Mn⁴⁺和Ca₁₂Al₁₄O₃₂X₂:Dy³⁺（X=Cl、F）。在蓝光激发下,Ca₁₂Al₁₄O₃₂X₂:Mn⁴⁺的发射光谱在640-680 nm范围内由几条窄带发射峰组成,最强发射峰位于656 nm,其不仅适用于近紫外LED芯片（350-410 nm）,还适用于InGaN基蓝光LED芯片（450-470 nm）,Mn⁴⁺的最佳掺杂浓度为x=0.001。在近紫外光激发下,Dy³⁺在单一基质Ca₁₂Al₁₄O₃₂X₂中呈白光发射,Dy³⁺在Ca₁₂Al₁₄O₃₂Cl₂和Ca₁₂Al₁₄O₃₂F₂中最佳掺杂浓度分别为x=0.5和x=0.03。