随着现代社会的飞速发展,信息技术产业规模日益膨胀,对充当产业硬件条件的大规模集成电路提出了越来越复杂的要求。常规的硅基电路具有集成度高、运行精准以及产业链成熟等优点,但在多种物理量交互等方面的性能表现较为单薄,摩尔定律也预言硅基集成电路的集成度终究会到达瓶颈。因此,亟需一种新型的电子元器件来弥补硅基电路的不足以及解决将要遇到的问题。种类极为丰富的铁性氧化物材料具有各种各样的物理性质,特别是在多物理量耦合这一领域的表现尤为突出,铁磁性、铁电性、压电效应、逆压电效应以及磁电耦合等物理性质都能在新型电子器件中有所应用。铁磁性材料与铁电性材料由于其自身的性质在自旋电子器件、电子突触器件的制备上具有一定的应用前景。在本文中,我们测试了铁性氧化物材料的磁学、电学性能,探索了材料性能与氧含量的相关性以及器件应用于新型电子器件的可行性,本工作的主要研究内容为:（1）使用激光脉冲沉积技术、标准紫外光刻技术、磁控溅射技术制备了Pt/Ba Ti O3/Nb:Sr Ti O3型微纳器件,探索器件电导变化的主导因素并表征器件性能。之后使用半导体性能表征系统与类脑神经计算网络仿真程序共同确认Pt/Ba Ti O3/Nb:Sr Ti O3器件用于电子突触的可行性。薄膜具有标准的铁电性,铁电畴翻转相位最大可达180°,并在铁电畴翻转的调控下表现出势垒升降主导的电导变化行为,开关比能达到104,同时具有优良的单态保持特性以及双态切换抗疲劳特性。器件能够模拟生物突触的短时程塑性、长时程塑性的行为,并且成功地模拟了部分突触功能。器件准连续的电导变化行为与生物突触权重的特征相似,具有极高的电导态密度,在基于手写数字识别的类脑神经计算网络仿真中达到了94%的小尺寸图片识别准确率与85%的大尺寸图片识别率。两组测试的结果表明我们的器件在电子突触领域的应用有一定的潜力。（2）为了确定薄膜氧含量对La Mn O3薄膜性能的影响及其作用机理,我们通过脉冲激光沉积方法制备了两组La Mn O3薄膜样品,其中一组在通氧环境下退火改性,另一组不进行任何处理,之后比较两组样品测试结果的差异来分析薄膜氧含量对La Mn O3薄膜晶格结构、锰离子价态以及铁磁性、磁电阻性能的影响。测试结果显示提高La Mn O3薄膜中的氧含量可以使得锰离子由Mn3+转变为Mn4+,从而减小晶体的晶格常数与Jahn-Teller畸变,增强薄膜内部的双交换作用,促使薄膜从反铁磁体转变为铁磁体,同时增强的双交换作用也会提高薄膜的导电性。