在摩尔定律的推动下,当今的集成电路的设计和生产能力已经走向了一个新的高度。SOI技术(绝缘衬底上的硅),作为低功率集成电路器件的首选衬底,已经成为了后摩尔定律发展的主流技术之一。主流的SOI工艺包括注氧隔离技术,注氧键合技术,键合背面蚀刻绝缘体技术,智能剥离技术等。智能剥离技术是结合了前面的注氧隔离和绝缘体基外延的工艺技术,目前是一种比较有开发前景的SOI工艺。化学机械抛光后的氨水腐蚀已经困扰着该工艺多年。这种缺陷失效率在整个世界水平的产品生产中站到了近1%-2%之间,而在国内却高达6%。本次研究发现,氨水腐蚀是源自抛布中抛浆的挥发。当完成抛光作业后,抛布中挥发的抛浆腐蚀了晶圆表面形成的腐蚀层。研究中还发现,随着抛布寿命的增加,抛布中累计的抛浆含量上升会使腐蚀缺陷越发明显。本次研究通过增加抛光后的水抛时间、降低等待时间和减小刷盘压力能够明显优化氨水腐蚀缺陷。通过本次的优化,腐蚀缺陷均值下降600%,良率损失控制在单月最低0.13%。我国针对该技术的掌握能达到熟练水准。