【摘 要】
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非晶硅(a-Si)与晶态硅的结构差异，使非晶硅具有特殊的光学、电学性质，并且呈现出了巨大的应用前景。但是由于它含有大量的缺陷态(主要缺陷态是悬挂键)，使其在实际应用方面受到了约束。对于氢化非晶硅(a-Si:H)，由于氢通过无连接端的硅原子键合来消除缺陷，使得氢化非晶硅的缺陷密度比未氢化的非晶硅大大降低了，从而使氢化非晶硅符合器件级质量材料的要求。a-Si:H薄膜已经广泛应用于太阳能电池，而且作为薄
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非晶硅(a-Si)与晶态硅的结构差异，使非晶硅具有特殊的光学、电学性质，并且呈现出了巨大的应用前景。但是由于它含有大量的缺陷态(主要缺陷态是悬挂键)，使其在实际应用方面受到了约束。对于氢化非晶硅(a-Si:H)，由于氢通过无连接端的硅原子键合来消除缺陷，使得氢化非晶硅的缺陷密度比未氢化的非晶硅大大降低了，从而使氢化非晶硅符合器件级质量材料的要求。a-Si:H薄膜已经广泛应用于太阳能电池，而且作为薄膜场效应管在电子摄像，计算机记忆，平板显示器等领域的应用也有很大进展。但是a-Si:H的沉积速率和品质很
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