磁控溅射与PECVD方法制备SiGe-SiO2薄膜

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近年来,随着太阳能技术的蓬勃发展,人们在日常生活中太阳能电池应用的领域越来越广泛,而且目前应用最多的就是硅电池。而如何增加太阳能电池板的光透过率,增加光电转换效率成为目前研究的热门话题。二氧化硅具有结构简单,性能稳定,成本低廉,而且很适合做光学增透膜。锗比硅的光谱吸收范围要宽,色散小,折射率高而且在红外波段透过率也比较好。所以在太阳能硅电池板上镀上这两种成份,能够有效地提高太阳能电池板的光透过率以及增加其光电转换效率。本文主要研究了利用磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积方法制备SiG
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