目前,对GaN光电阴极的研究还存在着许多不够完善的地方,特别是不够完善的基础理论知识,极大地制约了真空紫外探测器的研究。如今,科技的发展已是日新月异,所以,不论是在军事应用上,还是在一般的民用中,都迫切的需要研制出成熟的、性能完善的真空紫外探测器件。　　 本文围绕GaN光电阴极量子效率的提高问题,阐述了有关光电发射过程、阴极材料的激活实验以及表面模型的建立等内容。首先,介绍国内、外对GaN光电阴极的研究现状,叙述了GaN光电阴极的具体应用:其次,通过对光电效应现象的解释,初步认识了光电子的发射过程。而对“三步模型”理论的阐述则帮助我们更加深入的理解光电发射过程;再次,详细论述了GaN光电阴极的制备工艺,包括激活之前的表面净化、Cs/O激活以及激活之后阴极的性能评估等内容。对阴极的量子效率曲线进行拟合仿真,并研究了梯度掺杂结构对光电阴极量子效率的影响;最后,建立光电阴极表面模型理论,利用此理论对GaN阴极光电流变化情况以及量子效率的衰减现象给予了详细的解释。