石墨烯自2004年被发现以来,就引发了凝聚态物理与材料科学等领域的研究热潮。石墨烯的超高室温载流子迁移率与可剪裁加工的特性,使其成为未来纳米电子器件的重要候选材料。但由于石墨烯本身是零带隙的半导体,不能直接用在半导体工业上,例如不能用其直接构筑场效应晶体管(FETs)器件。目前打开能隙的一种有效方法是,限制石墨烯的维数,裁剪成一维的结构,例如石墨烯纳米带。因此,如何高效、可控地制备石墨烯纳米带是当前该领域的一个充满挑战的重要研究课题。为了更好地发展石墨烯纳米带的制备技术,十分有必要来研究制备过程中的界面性质,如界面的电子态性质和结构特征。本论文中,我们在超高真空环境中,以10,10-二溴-9,9’-连二蒽为前驱分子,采用自底向上的有机合成法在Au(111)表面制备宽度和边缘构型可控的石墨烯纳米带并进行紫外光电子能谱研究。利用紫外光电子能谱(Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy, UPS)和角分辨紫外光电子能谱(Angle Resolved Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy, ARUPS)研究了其电子态和吸附结构。功函数的变化说明了在中间体(线性聚合物)和Au衬底界面偶极子的形成。ARUPS结果表明石墨烯纳米带在Au(111)表面以平躺的方式吸附。最后结合基于密度泛函理论的简单计算,得到了石墨烯纳米带UPS谱峰相应轨道的电子分布。