电沉积制备Cu2O薄膜及其光电性能研究

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【摘要】

：

Cu20作为一种p型半导体,其p型特征是由固有的Cu原子空位引起的,具有禁带宽度窄(2.14eV)、为直接带隙半导体、且理论吸收系数(18%)高等特点,除此之外,Cu2O还具有无毒、廉价、原材料来源丰富、制备过程工艺简单故而可大面积生产等诸多优点,这些都使其在异质结太阳电池和光电化学领域受到很多的关注和研究。所以Cu2O可作为一种低成本太阳电池材料尤其作为异质结材料,在双结或者三结电池中是优良的顶

【作者】

：

王蓉

【机构】

：

西南交通大学

【发表日期】

：

2012年05期

【关键词】

：

Cu2O ZnO/Cu2O异质结表面光电压谱场诱导表面光电压谱界面电场

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