石墨烯的出现掀起了人们对新型材料的研究热潮。二维（2D）材料被各国科学家们发现或合成,如黑磷（BP）、氮化硼（BN）、过渡金属碳化物（TMC）、过渡金属二硫化物（TMD）等。WS2、MoS2都是典型的二维材料,能带中存在一定的带隙,可以代替传统三维半导体。在实际应用中,许多因素会影响器件的性能。如2D半导体与电极接触时会形成肖特基势垒,对制备的电子器件产生不利影响;2D半导体与电极接触时会产生隧穿势垒,也是阻碍器件实际应用的重要因素。为解决上述问题,本文采用第一性原理计算,详细地分析了对于不同电极材料与WS2构成异质结的接触性质、基于WS2构建的双电极体系的电输运特性、研究了1T’/2H MoS2异相结的接触性质并对其进行了有效调控。具体研究内容如下:1.基于上述2D半导体与电极接触时出现的问题,开展了对Graphene/M3C2（M=Cd,Hg,Zn）与2D WS2形成范德华异质结的研究。采用第一性原理计算方法研究了使用Graphene/M3C2做电极时与2D WS2形成范德华异质结的接触性质。当WS2/石墨烯形成范德华异质结时,两种材料的固有性质可以很好的保持;M3C2/WS2范德华异质结的费米能级处出现了混合态,影响了材料固有性质。Graphene/M3C2与WS2形成了n型肖特基接触,对Zn3C2/WS2双电极体系进行评估,体系形成n型接触。上述研究为制作n型WS2半导体器件提供了理论指导。2.基于Graphene/M3C2与WS2存在接触势垒较大的问题,开展了使用金属性过渡金属二硫化物XA2（X=V,Nb,Ta;A=S,Se）与二维WS2形成范德华异质结的研究。研究发现WS2/XA2范德华异质结可以很好的保持两种材料的固有性质。XA2与WS2形成了p型肖特基接触,有趣的是,当VSe2被选作电极时,其双电极体系评估为n型接触。VS2,NbS2和TaS2作为电极时,载流子极性没有改变,双电极体系评估仍为p型接触。在电输运计算中,所有体系的肖特基势垒（SBH）出现明显增加。此研究有效降低了肖特基势垒,并提供了制备p型WS2半导体器件的理论思路。3.基于二维材料的多相性,开展了1T’/2H MoS2异相结接触性质的研究。发现异相结的界面势垒并不均匀,界面局部出现了低于层间间隙势垒的区域电势,这些区域的出现为电子传输提供路径。通过吸附多种金属性原子或者施加应力来调控1T’/2H MoS2异相结接触界面的肖特基势垒,两种方法都可以将肖特基接触转变为欧姆接触,并且施加应力可以拓宽低于平均势垒区域面积。此研究计算出影响1T’/2H MoS2异相结的两个主要势垒,并成功对其进行调控,为实际调控材料接触势垒提供了理论借鉴。