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InGalAsSb/AlGaAsSb 多量子阱激光器是近几年来国际上受到高度重视，具有广阔应用前景的一种新型半导体激光器。本文针对高质量的InGaAsSb/AlGaAsSb激光器的生长和研制作了较细致的研究工作，在超薄层外延生长，结构的优化设计等方面取得了一些进展。针对锑化物的特点对量子阱激光器结构进行了理论优化设计，一分析了各结构参数对激光器性能的影响。利用分子束外延(MBE)技术对GaAsSb以及InGaAsSb/GaSh、AlGaAsSb/GaSb材料的外延生长进行了深入的研究，分析了生长温度、生长速度、Ⅴ/Ⅲ束流比、衬底温度、衬底取向、掺杂及生长速率等一些重要工艺参数对激光器输出特性的影响。获得了高质量量子阱激光材料生长的最佳工艺条件，利用RHEED，X射线双晶衍射，光荧光谱对材料进行了检测与分析。首先，研究了GaAs衬底上二元锑化物GaSb的外延生长条件优化，在实验过程中对GaSb进行了室温300K和低温10K下的光荧光谱测试，着重研究了GaSb的光学性质。在以上工作基础上，我们成功地获得了高质量的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构材料，室温(300K)下PL谱半峰宽为23meV，发光波长达到0.78eV(1.598μm)；低温(10K)的PL谱半峰宽仅为6meV，发光波长为0.84eV(1.474μm)。为制备出性能良好的器件打下基础。