忆阻器是继电阻、电容、电感之后的第四种基本元器件，其阻值能随流经它的电荷的方向和数量的变化而变化。当电荷的变化量低于阻变条件时，其阻值能保持不变。因此忆阻器可以被视作一种具有记忆功能的非线性电阻器件，具有高速、低功耗、高密度、可扩展性强、CMOS电路兼容性良好等优点，是替代闪存的主要候选之一。从它器件的问世到现在已有近十年的发展过程，这期间忆阻器性能获得了大幅提升，许多新的特性也逐渐被人们发现。高速特性和量子化电导特性就是当前基于忆阻器的两大研究热点。研究这两种特性对发展原子尺寸开关、高速多值存储器件、类脑功能器件等领域具有重大的意义。　　本文首先对传统的忆阻器测试方法和测试系统进行了提升和优化。基于忆阻器的样品结构和封装，设计了具有足够带宽和良好信号完整性的忆阻器高速脉冲测试电路。利用该电路搭建了高速测试平台，实现了对忆阻器的常规测试和高速脉冲测试。结合测试结果对其阻变机理以及多种电学性能进行了展示与分析。　　本文还对基于AgInSbTe材料忆阻器的量子化电导效应进行了测试，实现了纳秒级环境下在不同量子化电导态间的切换，提出了该效应的形成机理模型，为今后利用该效应研发高速多值存储器件提供了研究对象和理论基础。