【摘 要】
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首次成功设计新型高效MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs复合结构太阳电池.选用合适的Al组分,增加p-AlGaAs为工作层,并作为能带工程的首次成功尝试,创新性引入固定负电荷,改变能带形状,
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首次成功设计新型高效MIp<+>-Al<,0.3>Ga<,0.7>As/p-n-n<+>-GaAs复合结构太阳电池.选用合适的Al组分,增加p<+>-Al<,0.3>Ga<,0.7>As为工作层,并作为能带工程的首次成功尝试,创新性引入固定负电荷,改变能带形状,形成阻挡光生电子向界面运动的感应势垒,有效降低复合速度.首次以有别于常规叠层电池先分开、后叠加的理论计算方法,一次性完成电池整体的I-V特性研究,得到31.55﹪的转换效率理论值.以低成本、操作简便的热壁外延技术,在廉价衬底上成功获得晶体质量好、光学和电学性能适合制作太阳电池基底材料的GaAs薄膜.其中,在Si衬底上获得有明显绒面结构与柱状晶粒的GaAs/Si薄膜.这正是研制太阳电池薄膜材料所一直追求的目标.最具有创新性的是,考虑太阳电池的实际使用,在导电玻璃上直接生长GaAs薄膜,并已获得表面呈绒面结构、性能良好的GaAs/SnO<,2>/Glass的薄膜材料.这在全世界的相关研究中尚属首次.
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