【摘 要】
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氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下的带隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。自1997年在ZnO多晶薄膜上实现了室温光泵浦紫外激光以来，有关ZnO材料的研究已经成为
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氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下的带隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。自1997年在ZnO多晶薄膜上实现了室温光泵浦紫外激光以来，有关ZnO材料的研究已经成为光电领域国际前沿课题中的热点之一。 针对当前ZnO研究工作的热点问题，人们更多关注于ZnO的紫外特性和P型ZnO半导体材料的制备，对于ZnO红外的研究鲜有报道。本论文主要对ZnO纳米颗粒材料的光谱性质(尤其是中红外光谱)进行研究，ZnO纳米颗粒在中红外没有相应的吸收，所以引入杂质掺杂，以达到在中红外有较宽的吸收带。本文采用燃烧法来制备ZnO纳米颗粒，同时制备的过程掺入不同配比NiO，以实现ZnO纳米颗粒红外的吸收。
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