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随着微电子技术微型化和集成化的发展，高介电常数材料在微电子器件，特别是在动态随机存储器中(DRAM)，扮演着越来越重要的角色。近年来具有巨介电常数材料的CaCu3Ti4O12(CCTO)引起了人们很大的关注，目前研究主要集中在CCTO巨介电常数的来源问题，但其较大的介电损耗限制了应用，对如何降低其介电损耗的研究很少。为了降低CCTO的介电损耗，本论文提出在CCTO中掺入低损耗介电材料的方法。
利用传统的固相反应法制备了具有巨介电常数的CCTO陶瓷材料，探讨了合成过程中预烧和烧结温度对其物相结构和介电性能的影响。在1000℃预烧，1060℃烧结时，CCTO试样的介电性能最好，在室温和1KHz测量频率下，相对介电常数达46000，介电损耗为0.097。随着预烧和烧结温度升高时，CCTO的介电常数减小，介电损耗增大。
通过向CCTO陶瓷中引入低损耗介质MgO、CeO2、LaAlO3、LaZn0.5Ti0.5O3(LZT)和LaMg0.5Ti0.5O3(LMT)，研究了掺杂浓度为0.1-5.0 wt％分别在烧结温度1060℃、1080℃和1100℃下CCTO物相结构和介电性能的变化。XRD分析表明5.0 wt％的CeO2掺杂CCTO样品中会出现CeO2相，3.0 wt％LaAlO3掺杂也会有LaAlO3相出现，表明掺杂介质并没有与CCTO发生反应。介电性能测量表明，MgO和LaAlO3掺杂表现出对CCTO陶瓷较好的改性能力。主要表现在掺杂后CCTO高频介电性能趋于优良，介电常数和介电损耗总体上减小，且随掺杂浓度的提高而降低，随温度的变化趋势与纯相的CCTO变化基本一致。在1000℃预烧，1060℃烧结时，3.0 wt％MgO和LaAlO3掺杂后CCTO相对介电常数分别为为3000和2500，最低介电损耗为0.045和0.040。CeO2掺杂后CCTO介电性能变差，表现在介电常数减小，介电损耗增加。LZT和LMT对CCTO改性能力不明显，表现在介电常数和介电损耗变化均不大。
利用传统的固相反应法制备了具有巨介电常数的CCTO陶瓷材料，探讨了合成过程中预烧和烧结温度对其物相结构和介电性能的影响。在1000℃预烧，1060℃烧结时，CCTO试样的介电性能最好，在室温和1KHz测量频率下，相对介电常数达46000，介电损耗为0.097。随着预烧和烧结温度升高时，CCTO的介电常数减小，介电损耗增大。
通过向CCTO陶瓷中引入低损耗介质MgO、CeO2、LaAlO3、LaZn0.5Ti0.5O3(LZT)和LaMg0.5Ti0.5O3(LMT)，研究了掺杂浓度为0.1-5.0 wt％分别在烧结温度1060℃、1080℃和1100℃下CCTO物相结构和介电性能的变化。XRD分析表明5.0 wt％的CeO2掺杂CCTO样品中会出现CeO2相，3.0 wt％LaAlO3掺杂也会有LaAlO3相出现，表明掺杂介质并没有与CCTO发生反应。介电性能测量表明，MgO和LaAlO3掺杂表现出对CCTO陶瓷较好的改性能力。主要表现在掺杂后CCTO高频介电性能趋于优良，介电常数和介电损耗总体上减小，且随掺杂浓度的提高而降低，随温度的变化趋势与纯相的CCTO变化基本一致。在1000℃预烧，1060℃烧结时，3.0 wt％MgO和LaAlO3掺杂后CCTO相对介电常数分别为为3000和2500，最低介电损耗为0.045和0.040。CeO2掺杂后CCTO介电性能变差，表现在介电常数减小，介电损耗增加。LZT和LMT对CCTO改性能力不明显，表现在介电常数和介电损耗变化均不大。