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【摘 要】
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氮化铝（AlN）是第三代半导体材料的发展热点,其在光电器件（特别是深紫外发光和深紫外探测器）方面有着重要的应用。但是,也正因为氮化铝晶体的宽带隙,使得其在常温下的载流子浓度和迁移率偏低,从而影响了氮化铝基电子器件的电学性能。近年来,二维材料由于自身的优异性质得到快速发展,这些新材料为氮化铝基器件性能的改善提供了新的思路。石墨烯在常温下具有高迁移率,如果将氮化铝产生的载流子导入石墨烯中进行传输,就能
【机 构】
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深圳大学
【出 处】
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深圳大学
【发表日期】
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2020年01期
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