【摘 要】
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该论文工作首先综述了场致电子发射理论及其应用于平板显示器件研究方面的发展状况,并回顾碳纳米管作为一种极有前途的冷阴极电子源材料的研究概况,进而着重介绍碳纳米管及其
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该论文工作首先综述了场致电子发射理论及其应用于平板显示器件研究方面的发展状况,并回顾碳纳米管作为一种极有前途的冷阴极电子源材料的研究概况,进而着重介绍碳纳米管及其相关材料的合成、场发射机理研究以及非晶金刚石薄膜对碳纳米管场发射性能的影响.该论文的研究成果：采用电弧法分别制备出多层碳管和单层碳管粉体,并研究了单层碳管粉体的场发射特性;采用热分解化学气相沉积法（TCVD）,分别在多孔硅模板和石英衬底上合成出大面积的碳纳米管相关薄膜,并研究了不同的实验参数如催化剂前驱体的浓度或厚度、氢气的还原或刻蚀处理的时间及反应时气体的流量比对样品形貌的影响,总结了碳纳米管及其相关材料生长的基本规律.对大面积碳纳米管薄膜样品场发射的非线性现象进行了探讨.采用磁过滤阴极真空弧镀膜技术,在碳氮纳米管表面成功地沉积了不同厚度的、均匀的非晶金刚石薄膜（α-D）.
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