【摘 要】
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该文从La位替代制备磁电阻锰氧化物的思想出发,独立地采用一价的金属K元素对LaMnO材料进行La位替代,成功地制备出了单相性很好,具有扭曲钙钛矿结构和磁阻效应的铁磁性La-K-Mn
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该文从La位替代制备磁电阻锰氧化物的思想出发,独立地采用一价的金属K元素对LaMnO<,3>材料进行La位替代,成功地制备出了单相性很好,具有扭曲钙钛矿结构和磁阻效应的铁磁性La-K-Mn-O块材.对它们的电性研究结果表明:材料的半导体-金属转变与磁转变过程密切关联,居里温度处的磁阻效应也与材料的磁转变密切关联.其中名义组分为 La<,0.85>K<,0.5>MnO<,3>的材料在246K,0.8T下的磁阻效应于35%.通过对La<,0.70>(Ba<,1-x>K<,x>)<,0.30>MnO<,3>的系列材料的结构,电性的研究,该文还提出K的掺入使材料中的锰离子相对聚集而产生分区的畴结构并使材料结构产生扭曲畸变.对这些材料的EPR和红外吸收研究表明:在考虑居里温度附近的磁阻效应时,必须计及材料中锰离子之间的磁作用、电声子和磁晶相互作用.在文中,作者还对材料的制备对材料的结构、磁性、电性等的影响作了详细的讨论.
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