KDP晶体快速生长装置及生长工艺

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KDP晶体是一种性能优良的电光非线性光学晶体。综合考虑其电光性能,以及易于生长、生长尺寸比较大的特点,特大口径、高质量的KDP晶体成为大功率激光器中主要光学晶体材料之一。传统方法生长大尺寸KDP晶体周期长、成本高,很难满足对KDP晶体的大量需求,因此快速生长大尺寸高质量的KDP晶体成为国际研究的热点。快速生长KDP晶体对生长条件要求很高,要求溶液有高的稳定性,同时要保证快速生长的KDP晶体光学均匀性好,缺陷较少,具有好的光学质量,以满足高功率激光器对KDP晶体的应用要求。本论文以溶液中成核理论为基础,探讨了影响KDP溶液稳定性的主要因素,找到了提高溶液稳定性的有效方法,设计制作了用于溶液法晶体生长的锥形底底部加热装置,并基于此装置进行了KDP晶体快速生长,以25mm/d的生长速度生长出宏观透明性良好的KDP晶体,晶体尺寸为25×24×27mm~3,探索了溶液法快速生长KDP晶体的工艺过程。以锥形底快速生长装置的原理为基础,并充分考虑设备成本、制造可能性、可靠性和操作的简便性,目的在于生长大口径KDP晶体进一步提高KDP晶体质量,设计了用于快速生长大口径KDP的晶体生长装置。利用激光层析法、激光透射投影法、表面反射投影法、激光干涉法、腐蚀法、扫描电子显微镜(SEM)以及电子能谱分析了快速生长的KDP晶体中散射颗粒分布、层状包裹、扇形区界线、位错分布和液相包裹体等缺陷,讨论了这些缺陷的形成机理和减少缺陷的方法,为提高晶体光学质量,改进晶体生长工艺,提供科了学依据。
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