伴随着信息时代的发展，电子产品不断普及，制造电子产品的芯片需求量越来越大，进而促进芯片基底材料加工工艺的研究。单晶硅片因具有良好的半导体特性，常用作芯片的基底材料被广泛地使用。由于单晶硅片的表面加工质量对芯片的性能会产生很大的影响，研究提高单晶硅片的表面加工质量，对改善芯片性能的将起到重要的作用。另外，研制更高效的加工装置又可提升单晶硅片的加工效率。鉴于单晶硅片表面加工的众多方法中，硅片表面抛光是一种可以获得高表面加工质量必不可少的精密加工方法。因此，为了获得更好的抛光表面加工质量，又能实现高效的加工效率，本文设计了一种超声波辅助抛光实验装置，并在此基础上开展硅片抛光加工原理及加工运动轨迹的研究。　　本研究介绍了超声波辅助加工原理，并分析了单晶硅片表面材料的去除原理。其次，设计了抛光实验装置，并对其三种抛光运动形式：圆周摆动，平面摆动，圆周旋转进行了描述。运用ANSYS软件设计能实现超声椭圆运动的抛光工具。最后，运用MATLAB软件分别仿真了圆周摆动，平面摆动和圆周旋转三种抛光运动轨迹，并对仿真进行了验证实验。从仿真结果的分析中，得到了圆周摆动，平面摆动，圆周旋转三种抛光运动轨迹的一些加工规律，为以后的实验加工奠定了一定的理论基础。此外，对全文进行了总结与展望。