磁控溅射制备类金刚石(DLC)薄膜及其结构和性能研究

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类金刚石(Diamond-like carbon,简称DLC)薄膜是一种非晶碳膜,薄膜中含有一定数量的sp~3键,使得其具有一系列接近于金刚石的优异性能。加之其沉积温度低,可以大面积沉积等优点,一直来都是人们广泛研究的对象。本文的第一章简要综述了DLC薄膜的结构和相关的性能,介绍了类金刚石薄膜的研究背景和意义;综述了薄膜的制备方法和薄膜的应用。第二章给出了本文中DLC薄膜的制备方法和工艺,利用DLC薄膜电阻率与工艺参数的间接关系,研究了磁控溅射制膜的工艺。随工作气压的增大薄膜电阻率先增大后减小,薄膜中sp~3杂化碳原子含量随工作气压的增大而先增后减;随着靶的溅射功率提高,薄膜电阻率也是先增后减,薄膜中sp~3杂化碳原子含量随着溅射功率增大而先增后减;基片直流负偏压的增加薄膜电阻率增大,薄膜的sp~3含量随着直流偏压增加而增大。第三章利用Raman光谱、XPS研究了薄膜的结构,利用AFM、SEM研究了薄膜的形貌;分析得出薄膜含有相当量的sp~3杂化碳原子,射频DLC薄膜中sp~3含量高于直流DLC薄膜。研究不同直流溅射气压下制备的DLC薄膜的Raman谱发现薄膜中sp~3含量是随着工作气压的增大先增加后降低。形貌分析得出薄膜致密、平整,膜基结合紧,射频磁控溅射制备的DLC薄膜表面粗糙度低于直流磁控溅射制各的DLC薄膜,射频DLC薄膜质量优于直流DLC薄膜。第四章在不锈钢和Si(100)基底上制备了Ti/TiN/DLC多层膜。XRD、Raman光谱研究表面薄膜中Ti/TiN过渡层按照Ti(211),TiN(200)取向择优生长,DLC层具有典型的类金刚石结构。SEM表明多层膜层与层之间的结合非常致密,过渡平滑。利用Jonsson和Hogmark理论公式从薄膜的显微硬度中分离出薄膜本征硬度,研究表明薄膜的硬度可达30GPa以上。第五章介绍了CNx出现的背景,以及目前研究的进展。利用射频反应磁控溅射制备出CNx膜,通过Raman光谱分析表明薄膜是典型的类金刚石膜。XPS分析研究了薄膜的结构,分析发现薄膜中含有C=C/C—C键、C—N键、C=N键、N≡C键、C—O键。
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