论文部分内容阅读
超大规模集成电路的集成度越来越高,Cu/低k材料系统的引入可以有效解决互连RC延迟问题。多孔SiO_2薄膜具有许多优良性能,成为下一代集成电路互连介质的优良候选材料。但因孔隙的引入,材料的机械性能显著下降,成为多孔SiO_2薄膜在互连介质应用中的关键问题。本论文用溶胶-凝胶法制备了多孔SiO_2:F薄膜,分别用紫外线辅助热处理、氢等离子体辐照和碳纳米管(CNTs)掺杂三种实验方法对样品进行了改性处理,系统地研究了材料的结构、电学和机械特性,以期探索增加多孔SiO_2:F薄膜的机械性能的方法。