脉冲激光沉积制备Cu掺杂ZnO薄膜的研究

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【摘要】

：

ZnO是一种宽禁带化合物直接带隙半导体材料,其室温时禁带宽度为3.37eV,具有良好的热稳定性和化学稳定性,优良的光电性能使得该材料有着广泛用途。在纯氧化锌研究了一段时间已经趋于成熟后,将其进行掺杂并研究其掺杂以后的性质己成为现在研究氧化锌这个材料的新课题。本论文系统地研究了采用KrF准分子脉冲激光沉积技术制备铜掺杂氧化锌薄膜,在不同的生长条件下和退火温度处理后研究薄膜的结构特性和发光性质。论文的

【作者】

：

于业梅

【机构】

：

曲阜师范大学

【发表日期】

：

2009年04期

【关键词】

：

脉冲激光沉积光致发光 X射线衍射透射光谱退火处理

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