非晶硅薄膜广泛应用在太阳能电池的生产中，但因为其光电转换效率低，且会出现光致退现象；所以关于非晶硅改性研究得到普遍的重视，本文采用磁控溅射沉积氢化非晶硅薄膜，通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、Langmuir探针、紫外，可见分光光度计等分析方法，研究了氢分压和溅射功率对Ar-Si系等离子体、硅薄膜结构和性能以及其退火晶化结构和性能的影响。　　 研究结果表明：随着氢分压的增大，气体压强增加，使得气体分子间的碰撞几率增大，导致离子密度和离子流通量均增大；沉积得到氢化非晶硅薄膜，在其非晶结构中弥散分布着少量的纳米晶颗粒，降低了缺陷密度，从而降低了薄膜的光透过率；氢化非晶硅薄膜退火后结构转变为微晶态，平均晶粒尺寸为5～8nm;晶化率为75～83％;可见光透过率大幅度降低。　　 随着溅射功率的增大，离子密度和离子流通量增加，轰击靶材的离子能量增大，所以溅射出的靶材原子在基体上能够更充分的扩散，使得非晶硅薄膜组织中的纳米晶比例增大，相同退火温度下需要晶化的时间随之减少，晶粒尺寸和晶化率随之增大；当直流溅射功率为1190W时，沉积的非晶硅退火10min后转变为微晶结构，平均晶粒尺寸为8nm，晶化率为77％。　　 与相同功率的直流溅射对比，射频溅射是离子和电子交替轰击靶材，使得溅射出的部分靶材原子动能较小，不足以输运至基体，导致沉积速率较小；但是低的沉积速率导致到原子能够充分扩散，增加了非晶硅薄膜组织中的纳米晶比例，所以相同退火温度下需要的晶化时间短，得到的微晶硅薄膜晶粒尺寸和晶化率较高，可见光光透过率小。　　 在靶基距为90mm时，基体表面的离子密度处于峰值，由于基片偏压的作用，使得基体也会承受大量高能离子的轰击，产生反溅射作用，使得硅薄膜的沉积速率降低；但是低的沉积速率有利于硅薄膜的晶化，使得非晶硅薄膜退火20min后转化为非晶态，平均晶粒尺寸为9.21nm，晶化率为79％。