团簇作为物理，化学，材料的一门交叉学科，现在已经成为热门的研究领域，硅作为一种良好的半导体材料，其团簇的研究必然受到学者们的广泛关注。铈作为稀土金属中最为典型的一种轻稀土金属，其与纯硅团簇的掺杂，在一定程度上很大的改变了其结构与性质。本论文旨在结合前人的研究基础上，运用密度泛函理论研究中的B3LYP方法结合冻结外层28个电子的小核赝势ECP28MWB基组，考虑不同电子多重度和不同初始构型的基础上，系统的对稀土金属铈掺杂硅团簇 CeSin(0,-1)(n=1~10)经行了研究，获取他们的基态结构，计算基态结构的平均结合能，二阶能量差分，解离能分析其稳定性，并计算基态团簇的电子亲和能，自然电荷分布，磁矩等一系列性质。　　在B3LYP/ECP28MWB水平上，计算出的其基态构型，分别为：中性分子，C∞v(5Π)、C2v(3B1)、C2v(3B1)、Cs(3A′)、Cs(3A′′)、Cs(3A′)、C1(3A)、C2v(3B1)、Cs(3A′)、C1(3A)；阴离子，C∞v(2Π)、C2v(2A2)、C1(4A)、Cs(2A′′)、Cs(2A′′)、Cs(2A′)、Cs(2A)、C1(2A)、C2v(2B1)、C1(2A)，并分析铈硅团簇的生长规律。在获得的基态的基础上，计算其平均结合能，二阶能量差分，解离能来分析铈硅团簇的稳定性。结果表明，掺杂Ce原子后，提高了铈硅团簇的稳定性，且CeSi2，CeSi5和CeSi8团簇的稳定性较其他基态要更好。此外，还计算了CeSin(n=1~10)团簇的绝热电子亲和能，分别为：0.81eV（CeSi1），0.48eV（CeSi2），1.23eV（CeSi3），1.39eV（CeSi4），1.74eV（CeSi5），1.89eV（CeSi6），2.28eV（CeSi7），2.20eV（CeSi8），2.64eV（CeSi9），2.36eV（CeSi10）。最后，用自然布局分析（NPA）方法计算了中性分子，阴离子团簇的基态结构中原子的电荷和偶极矩，以及中性分子团簇的磁矩等性质。结果表明：除 CeSi-之外，电荷始终是从Ce迁移到Sin团簇的，Ce原子扮演了电子供体的角色。对于计算的偶极矩，偶极矩最大为12.22D（CeSi9-），偶极矩较小的为4.13D（CeSi），4.68D（CeSi-）。对于计算的中性分子基态CeSin团簇的磁矩，除了CeSi的总磁矩为4μB之外，其它团簇的总磁矩均为2μB；从Ce原子的局域磁矩可知，CeSin团簇的总磁矩主要是由掺杂的Ce原子所提供。这也说明，掺杂 Ce原子是使无磁性的纯 Sin团簇在掺杂后的CeSin团簇产生了磁性的一个诱因。