溶剂辅助空间限位等静压方法生长高质量复合半导体薄膜及其光电性质的研究

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有机无机复合半导体材料,尤其是近几年受到广泛关注的有机无机复合钙钛矿材料,相比于传统的无机和有机半导体材料具有很大的发展优势,这类材料不仅具有优异的物理性质,如高载流子迁移率,高吸光效率,宽吸光范围,而且制备工艺简单,因此得到了广泛的关注。目前,有机无机复合半导体材料多是以薄膜的形式应用到各种类型的器件中,薄膜的质量直接影响了器件的性能。为了使材料在器件中能充分发挥其性能,必须减少薄膜中由于制造工艺带来的缺陷,提高薄膜质量。而应用广泛的溶液法制备的薄膜存在晶粒小,晶界多,粗糙度大,缺陷多等不足,并且
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