半金属锰氧化物因其具有丰富的物理内涵和广泛的应用前景,吸引着众多科学家的注意。其中La2/3Sr1/3MnO3 (LSMO)是常见的半金属材料,具有很好的环境稳定性以及很高的自旋极化率。在描述它的电输运和磁性的耦合性能时,通常采用磁电阻MR与磁化强度M的函数关系MR(M),而磁电阻与磁场H的函数关系MR(H)并不常见。为了更深入地理解微尺度下电输运的微观机制,本论文描绘出了LSMO的MR(H)方程式。另外,由于多晶La0.7Sr0.3MnO3的低场磁电阻并不大,我们采用了磁场退火的方式增强了其低场磁电阻效应。本文的主要工作如下：1.单晶La2/3Sr1/3MnO3的线性磁电阻和多晶La2/3Sr1/3MnO3的磁电阻磁场依赖性掌握磁电阻与磁场的函数关系不仅能够更深入地理解磁电阻机理,而且对自旋电子学器件的设计亦有帮助。根据微磁学的基本方法以及载流子跳跃理论和自旋极化隧穿模型,我们对半金属铁磁体的磁电阻进行了系统的研究。研究结果表明：单晶LSMO具有线性的磁电阻效应。而在低场区域,多晶LSMO中的晶界电阻率(即电子穿过晶界的电阻率)与外磁场的平方呈指数关系。将得到的多晶LSMO的磁电阻公式拟合成曲线,很好地描述了实验中观察到的磁电阻行为。2.磁场退火对La0.7Sr0.3MnO3低场磁电阻增强效应的研究为了提高La0.7Sr0.3MnO3的低场磁电阻效应,我们将样品进行了磁场退火处理。实验结果表明,磁场退火并没有改变样品的磁矩,但对其磁各向异性产生了较大的影响。与零磁场下退火的样品相比,磁场退火样品的磁电阻明显提高。这种增强效应在低磁场下更加明显,在O.1T的外磁场下,磁退火样品的磁电阻比零场退火样品的提高了140%。利用自旋极化隧穿机制解释了这种增强的磁电阻效应。