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三氧化铋(Bi_2O_3)是一种重要的半导体材料,被广泛应用于光电材料、陶瓷、无机玻璃等领域。本文基于水热法制备Bi_2O_3半导体材料,通过诱导合成了含有Bi~((3-x)+)态的Bi_2O_(3-x)。氧空位的引入,可以有效的减少Bi_2O_3的电子和空穴的复合速率。相比Bi_2O_3,含有氧空位的Bi_2O_(3-x)具有较窄的禁带宽度,文章中对光催化性能以及磁学性质等方面进行研究,其主要内容如下:(1)通过水热法得到前驱物,然后退火得到正四面体结构的Bi_2O_3,以及合成含有氧缺陷的Bi_