近年来量子点发光二极管（QD-LED）的研究取得了很多突破性的进展，而使用CdSe量子点作为发光材料制作QD-LED得到了更多更广泛的关注。目前，红、绿、蓝CdSe QD-LED的最大亮度分别为31000cd/m2，68000cd/m2和4200cd/m2。此外，由于量子点具有发射带宽窄，光稳定性好，荧光寿命长，尺寸可调的优点，在显示领域有不可限量的应用前景。本文主要研究了CdSe量子点发光二极管（LED）的原理、制作过程和性能，同时探索了阵列化QD-LED的问题和解决方案。首先我们使用连续离子吸附法进行CdSe/CdS/ZnS核壳结构量子点的合成，再用合成的量子点进行LED器件的制作，量子点LED是以量子点作为发光层，同时使用有机聚三苯胺(Poly-TPD)为空穴传输层、ZnO为电子传输层的电致发光器件。我们对LED的亮度、效率、寿命均进行了测试，分析并优化了LED的性能。此外，我们还制作了以石墨烯为阳极的量子点LED，并对以石墨烯和ITO为阳极的量子点LED进行了发光效率和亮度的对比，验证了石墨烯作为导电膜的光明前景。不仅如此，还在量子点LED的基础上制作了8段位码和5×5点阵的LED显示器件，制作过程中，发现严重串扰问题，最终我们使用MoOx代替PEDOT作为空穴注入层，解决PEDOT横向导电性过强引起的串扰问题，并且探讨了8段位码量子点显示器件的均一性，这种表面均一的量子点LED表明了量子点在显示屏领域的应用前景。