近年来，利用Stranski-Krastanow方式(简称S-K方式)自组织生长的量子点越来越受到人们的关注。基于这种量子点的半导体器件既有非常广阔的应用前景又具有很大的理论研究意义。通过研究量子点器件的工作原理，可以得到有关量子点能级的详细信息。 本文报道的基于pHEMT结构的InAs／GaAs量子点存储器，既能在室温下工作，又可以只用栅极电压来控制其存储状态，具有十分重要的应用前景。我们在室温下对InAs／GaAs量子点存储器进行了延滞回线、沟道电导实时测试、偏压降温C-V特性等测试。 本文首先概述了量子点的基本概念、主要性质、制备方法和器件应用，以及量子点存储器的结构与工作原理。我们共制备了四种不同结构的InAs／GaAs量子点材料，并分别加工成器件，用于实验测试。利用FET与I-V特性测试来判断器件加工工艺是否符合要求，并判别器件性能的优劣，选取所需的器件进行后续的测试；延滞回线测试表明器件具有明显的延滞特征，也就说明了该器件在不同栅压条件下能够形成两种不同的状态，因此具有存储效应；利用沟道电导实时测试不仅可以得出器件工作的原理，还可以测得相应的存储保持时间，其中VMBE#1681器件的室温存储保持时间可以达到几十秒的量级；偏压降温测试则给出了在不同偏压下把器件从室温降到50K后，所对应的电容-电压曲线，从中我们可以看出随着栅极降温偏压的增大，曲线向更大的栅极测试电压偏移，而偏移区域所对应的电量即为器件中电荷分布的直观表示。根据以上实验结果，最后证明实验所用的InAs／GaAs量子点存储器的存储机理是由于量子点层的深能级引起的，而并非是量子点本征能级形成的充、放电所造成的 本文通过一系列的实验，对量子点存储器的工作原理进行了分析。对这些量子点深能级的进一步研究，不仅有利于完善量子点的生长机理和物理现象的分析研究，而且更有利于指导开发新型的量子点器件。本文希望能够对量子点存储器件的设计及加工有所帮帮助。