Pb<'q+>、Ar<'q+>在Ag、Au、Mo、Mica和SiO<,2>表面上的溅射行为研究

来源 :兰州大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：li_qinglong

【摘要】

：

低速高电荷态离子束有着各种各样广泛的应用，但对它与表面相互机理的认识还很有限。本文研究了低速高电荷态离子pb、Ar与金属Ag、Au、Mo,绝缘体Mica和SiO材料表面的相互作用过

【作者】

：

羊佳

【机构】

：

兰州大学

【出处】

：

兰州大学

【发表日期】

：

2007年期

【关键词】

：

高电荷态离子束 ECR离子源势能效应动能效应溅射行为

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

低速高电荷态离子束有着各种各样广泛的应用，但对它与表面相互机理的认识还很有限。本文研究了低速高电荷态离子pb、Ar与金属Ag、Au、Mo,绝缘体Mica和SiO<,2>材料表面的相互作用过程，讨论了溅射产额的入射角相关性、势能相关性和动能相关性。我们使用的pb(q=20-36，E<,k>6q-20q keV)和Ar (q=8-16，E<,k>=6q-20qkeV)高电荷态离子由中国科学院兰州近代物理研究所(IMPCAS)重离子加速器(HIRFL)国家实验室电子回旋共振离子源实验平台提供，相对溅射产额用微通道板和束流积分仪来测量。实验结果表明：对于不同电荷态(Ar<16+>和Pb<36+>)和不同入射离子初始动能(Ar160 keV和Pb 400 keV)的四种束流，在各个靶上的相对溅射产额都随着入射角度θ的增加而增加。考虑动能效应，对同一种靶材料，不同束流(Ar<16+>和pb<16+>)的溅射产额与V/V<,Bohr>有不同的关系，Ar<16+>束流的溅射产额随着入射离子速度的增加而减少，而pb<16+>束流的溅射产额随着入射离子速度的增加而增加。我们推测可能在0.3-0.4 V/V<,Bohr>区间存在一个共振区，在此区间靶材料与入射离子发生共振而使溅射产额增加。此外还发现低速高电荷态离子存在明显的势能效应，溅射产额在Ar(160 keV)束流下随着电荷态增加而增加，当pb(400keV)电荷态大于30+的时候，溅射产额有明显增强。

其他文献

基于原子的磁场与重力测量的研究

磁场和重力场的精密测量对基础科学和应用科学都意义重大。随着激光技术与原子物理的飞速发展，人们得以利用激光与原子的相互作用来更精密的测量磁场和重力场。本文介绍了作者

学位

原子干涉重力仪光抽运磁力仪测量原理灵敏度

铈掺杂多孔硅的形貌和光致发光研究

1990年，英国科学家Canh锄首次观察到室温下多孔硅强的可见光致发光，并用量子限制效应进行了解释，使多孔硅迅速成为世界范围内的研究热点。硅是微电子学中应用最为广泛的材料，但由

学位

多孔硅电化学腐蚀光学特性光致发光电化学掺杂制备工艺

离子—原子碰撞机制与极化模型

本工作是在兰州大学2×1.7MV串列加速器上完成的。对加速器产生的0.2-6.3MeV C(q=1-4)和0.25-6.35MeV O(q=1-4)与气体He、Ne、Ar原子碰撞的各种截面进行了研究。分析了中能区

学位

离子原子碰撞散射极化模型

高电荷态离子Ar<'q+>，Pb<'q+>在Si，Cu，W靶表面上的原子溅射研究

人们对低速高电荷态离子(Slow Highly Charged Ion)与固体靶相互作用这一课题在近二十年里进行了很多研究，如离子中性化过程，X-射线，俄歇电子发射，电子溅射，表面原子溅射等。在实

学位

高电荷态离子速度共振区核能损原子溅射固体靶

强非局域介质中双高阶高斯光束耦合的传输特性

光束在传输时，其束宽由于介质的自聚焦引起的压缩和光束本身的衍射引起的展宽相抵消时，光束的横向截面在传输过程中将不发生改变，这样传输的光束被称为空间光孤子。一方面，由于这

学位

非线性光学非局域空间光孤子数值模拟变分近似响应函数

磁控溅射法制备Ge<,1-x>Mn<,x>稀磁半导体的结构研究

稀磁性半导体(DMS)是在半导体中掺杂低浓度的过渡金属离子(TM)而生成的磁性材料，由于稀磁性半导体材料是实现自旋电子学器件的重要材料，因此受到了人们的广泛关注。向Ⅳ族半导

学位

稀磁半导体半导体薄膜磁控溅射过渡金属离子磁性材料自旋电子学

Pb<'q+>、Ar<'q+>在Ag、Au、Mo、Mica和SiO<,2>表面上的溅射行为研究

其他学术论文