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该论文的主要目的就是通过对各种不同结构的压力传感器的测试、比较，设计出一种新型结构的硅高温压力传感器，并对其高温特性进行测量.这种高温压力传感器就是SOI型压力传感器.SOI型压力传感器采用SiO<,2>作为隔离介质，利用SiO<,2>薄膜的隔离作用，将P型电阻条与N型衬底隔离开来，这就取消了PN结.美国KULITE公司利用此法制作的应变片使用温度到450℃.与PN结型的压力传感器比较起来，它们的线性值几乎一样，虽然在漂移电压的温度特性方面，SOI型压力传感器比较大，但是当温度高于150℃时，SOI型由于避免了一般PN结型压力传感器的PN结隔离，其漂移电压的变化量与150℃以下时几乎相等;当温度达到350℃甚至更高一些时，SOI型压力传感器仍能正常工作，其温度特性、时漂特性等仍符合要求.在SOI型高温压力传感器的设计和专题实验的过程中，同时发现了一种仅仅利用PN结和槽的隔离就能起到提高工作温度的新型结构，它不仅工艺简单，而且其工作温度也已经达到可以与SOI型高温压力传感器相比拟的水平，将会是高温压力传感器发展的又一种方法.