【摘 要】
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该论文探索的途径:首先是利用自组织法,在硅基上制备理想的模板,然后利用物理或化学方法,在模板内沉积半导体材料硅,期望得到具有发光性能的纳米结构,作为光电子集成应用器件
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该论文探索的途径:首先是利用自组织法,在硅基上制备理想的模板,然后利用物理或化学方法,在模板内沉积半导体材料硅,期望得到具有发光性能的纳米结构,作为光电子集成应用器件雏形.一、将多孔氧化铝结构和技术移植到硅基上.论文介绍了根据I-t曲线实时控制阳极氧化反应的方法,制备硅基多孔氧化铝薄膜.二、研究了硅基多孔氧化铝膜的结构和基本性质.内容包括:i 多孔氧化铝膜在10wt<,3>PO<,4>中的开路溶解性质;ii 多孔氧化铝硬膜的Co-D-D(将在第三章详细讨论)解离性质及氧化铝纳米管的制备.iii 铝膜的结晶度对孔有序度的影响.iv 硅基多孔氧化铝膜的荧光发射性质.三、作为一重要的发现,论文还研究了由轻度过度阳极氧化,形成的纳米SiO<,2>岛列阵.通过原子力显微镜(AFM)对SiO<,2>岛的形貌进行了表征.而生度过度阳极氧化得到的样品膜,通过俄歇电子能谱(AES)深度分析其多层结构,讨论了硅铝膜多孔阳极氧化反应的发展过程.四、重点介绍了一种新技术,即电子束蒸发结合Xe离子轰击技术.
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