在超大规模集成电路的制造装备中,等离子体工艺占据了重要地位。磁控等离子体溅射因具备等离子体密度高,沉积速率快等优点,被广泛地应用于薄膜沉积工艺当中,因而受到了众多研究者的关注。在磁控放电过程中,不同的参数设计会对靶材的利用率,腔室内等离子体的放电特性产生不同的影响。本工作以氩气为研究对象,采用2d3v(坐标空间2维,速度空间3为)的PIC/MC(Particle-In-Cell/Monte Carlo, PIC/MC)模型方法,并自洽地耦合外电路模型,对直流和射频磁控CCP (Capacitively Coupled Plasma, CCP)进行模拟,研究外电路电阻、外磁场和二维的几何效应对放电特性的影响。结果表明,外电路电阻是直流磁控CCP能够维持稳定放电的关键因素。随着外电路电阻的增大,等离子体密度降低,阴极上的直流负偏压下降,打到阴极板上的Ar+通量和溅射出的Cu原子通量下降,溅射产额基本保持不变。阴极板上的离子能量分布受离子密度轴向分布不均匀的影响,由低能峰和高能尾两部分组成。针对射频磁控Ar等离子体,研究表明,外磁场的引入使得等离子体的局域性增强。随着磁感应强度的增加,等离子密度先升高后降低,等离子体密度分布的峰值发生移动,由电源电极附近移至地电极附近；电源电极处的鞘层电场先增强后减弱,地电极处的鞘层轴向电场和径向电场均增强；电子的主要加热区域改变；直流自偏压先增大,且由负值变为正值,随之保持不变,之后再增大；离子能量分布函数受鞘层电势降下降的影响向低能区移动。随着阴阳极间隙的增大,等离子体密度下降,密度分布峰值发生移动,由电源电极附近移至地电极附近；电源电极鞘层电场和电势降基本不变,地电极鞘层电场增加；直流自偏压和等离子体电势增加。