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该论文工作针对用于长波长光纤通讯中的InGaAs金属-半导体-金属光电探测器的暗电流高而导致的光接收机灵敏度降低这一致命缺点,采用该专利,首次实现了具有双层肖特基势垒增强层的InGaAs金属-半导体-金属光电探测器,测试结果表明暗电流得到了极大的降低.
高性能金属-半导体-金属光电探测器及其集成技术研究
【摘 要】
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该论文工作针对用于长波长光纤通讯中的InGaAs金属-半导体-金属光电探测器的暗电流高而导致的光接收机灵敏度降低这一致命缺点,采用该专利,首次实现了具有双层肖特基势垒增强
【机 构】
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上海交通大学
【出 处】
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上海交通大学
【发表日期】
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1996年期
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