【摘 要】
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使用射频磁控溅射方法和N离子注入方法合成了CN膜,使RAMAN光谱、XPS光谱、FTIR光谱、AFM和CSR-01划痕试验机对合成CN膜进行了表征.对于射频磁控溅射方法沉积的CN膜RAMAN光谱
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使用射频磁控溅射方法和N离子注入方法合成了CN<,x>膜,使RAMAN光谱、XPS光谱、FTIR光谱、AFM和CSR-01划痕试验机对合成CN<,x>膜进行了表征.对于射频磁控溅射方法沉积的CN<,x>膜RAMAN光谱、XPS光谱、FTIR光谱研究结果表明:随衬底温度的增加,CN<,x>膜中结晶石墨畴尺寸增大,薄膜有序性增加,低温退火不能对CN<,x>膜的化学结合状态产生较大的影响.高温退火在提高sp<2>C-N组份含量的同时,却抑制sp<2>C-N组份的形成.AFM研究结果表明;衬底加100V负偏压对于形成光滑的CN<,x>膜表面是有益的;CSR-01划痕试验机研究结果表明:100的衬底负偏压时,形成的薄膜具有最好的附着力;随着衬底温度的增加,附着力呈缓慢增加的趋势.
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