【摘 要】
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新型、高性能MEMS器件需要开发具有多元耦合效应的材料和结构体系，对材料结构和性能的可靠性要求更高。PZT铁电薄膜因其优异的介电、铁电和压电性能，成为MEMS应用的研究热
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新型、高性能MEMS器件需要开发具有多元耦合效应的材料和结构体系，对材料结构和性能的可靠性要求更高。PZT铁电薄膜因其优异的介电、铁电和压电性能，成为MEMS应用的研究热点。 本文采用在传统溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术基础上改进的0-3复合法和快速热处理法，以无水醋酸铅、丙醇锆、异丙醇钛为原料，在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了中厚Pb(Zr0.53,Ti047)O3铁电薄膜，分别得到了厚度大于10μm和厚度大于2μm的PZT铁电薄膜。研究了PZT薄膜的制备工艺、微结构、电学性能之间的相关性。
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